ROHM RJ1 Typ N-Kanal 1 MOSFET 100 V Erweiterung / 120 A 135 W, 3-Pin TO-263AB

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Channel-Modus

Erweiterung

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

100V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

5.1mΩ

Durchlassspannung (Vf)

1.2V

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

73nC

Gate-Source-spannung max (Vgs)

±20 V

Gehäusegröße

TO-263AB

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

120A