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ROHM RHP020N06 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 2 A 500 mW, 3-Pin SOT-89

Marke: ROHM

Hersteller Artikel-Nr.: RHP020N06T100

Produkt-Nr.: P-DRB4P7

Technische Daten

Betriebstemperatur min.
-55°C
Channel-Modus
Erweiterung
Drain-Source-Spannung (Vds) max.
60V
Drain-Source-Widerstand (Rds) max.
340mΩ
Durchlassspannung (Vf)
1.2V
Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs
14nC
Gehäusegröße
SOT-89
Kabelkanaltyp
Typ N
kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)
2A
Maximale Betriebstemperatur
150°C

Produktbeschreibung

Leistungs-MOSFETs werden als Geräte mit niedrigem Widerstand im eingeschalteten Zustand durch die Mikroverarbeitungstechnologien hergestellt und eignen sich für eine Vielzahl von Anwendungen. Großes Angebot an kompakten Typen, Hochleistungs-Typen und komplexen Typen, um den unterschiedlichen Anforderungen des Marktes gerecht zu werden.4-V-AntriebstypP-Kanal-Mittel-Leistungs-MOSFETSchnelle SchaltgeschwindigkeitKleines SMD-GehäuseBleifreiAnwendungen:Tragbares DatenterminalMünzverarbeitungsmaschinenDigitales Multimeter: handlicher TypMotorsteuerung: bürstenlose GleichstrommotorenSpeicherprogrammierbare SteuerungAC-ServoNetwork Attached StorageDVR/DVSMotorsteuerung: SchrittmotorMotorsteuerung: Gleichstrommotoren mit BürstenPOS (Point-of-Sales-System)ElektrofahrräderEingebetteter PCIntelligenter ZählerÜberwachungskameraRöntgeninspektionsmaschine für SicherheitÜberwachungskamera für NetzwerkSprechanlage/BabymonitorMaschinelle Kamera für industrielle AnwendungenGerät zur Authentifizierung per FingerabdruckMassefehler-SchutzschalterDigitales Multimeter: TischtypAnzeige für EMSSolar-Wechselrichter

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Kennzeichnungen

Artikeltyp
MOSFET
GTIN
5059043380940

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