ROHM RHP020N06 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 2 A 500 mW, 3-Pin SOT-89
Technische Daten
- Betriebstemperatur min.
- -55°C
- Channel-Modus
- Erweiterung
- Drain-Source-Spannung (Vds) max.
- 60V
- Drain-Source-Widerstand (Rds) max.
- 340mΩ
- Durchlassspannung (Vf)
- 1.2V
- Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs
- 14nC
- Gehäusegröße
- SOT-89
- Kabelkanaltyp
- Typ N
- kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)
- 2A
- Maximale Betriebstemperatur
- 150°C
- Maximale Verlustleistung (Pd)
- 500mW
- Montageart
- Oberfläche
- Pinanzahl
- 3
- Produkt Typ
- MOSFET
- Serie
- RHP020N06
Produktbeschreibung
Leistungs-MOSFETs werden als Geräte mit niedrigem Widerstand im eingeschalteten Zustand durch die Mikroverarbeitungstechnologien hergestellt und eignen sich für eine Vielzahl von Anwendungen. Großes Angebot an kompakten Typen, Hochleistungs-Typen und komplexen Typen, um den unterschiedlichen Anforderungen des Marktes gerecht zu werden.4-V-AntriebstypP-Kanal-Mittel-Leistungs-MOSFETSchnelle SchaltgeschwindigkeitKleines SMD-GehäuseBleifreiAnwendungen:Tragbares DatenterminalMünzverarbeitungsmaschinenDigitales Multimeter: handlicher TypMotorsteuerung: bürstenlose GleichstrommotorenSpeicherprogrammierbare SteuerungAC-ServoNetwork Attached StorageDVR/DVSMotorsteuerung: SchrittmotorMotorsteuerung: Gleichstrommotoren mit BürstenPOS (Point-of-Sales-System)ElektrofahrräderEingebetteter PCIntelligenter ZählerÜberwachungskameraRöntgeninspektionsmaschine für SicherheitÜberwachungskamera für NetzwerkSprechanlage/BabymonitorMaschinelle Kamera für industrielle AnwendungenGerät zur Authentifizierung per FingerabdruckMassefehler-SchutzschalterDigitales Multimeter: TischtypAnzeige für EMSSolar-Wechselrichter
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
- GTIN
- 5059043380940
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