ROHM RH7G04BBJFRAT Typ P-Kanal, Oberfläche Einfache MOSFETs Erweiterung -40 V 75 W, 8-Pin DFN3333T8LSAB
Technische Daten
- Betriebstemperatur min.
- -55°C
- Channel-Modus
- Erweiterung
- Drain-Source-Spannung (Vds) max.
- -40V
- Drain-Source-Widerstand (Rds) max.
- 11.9mΩ
- Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs
- 50nC
- Gehäusegröße
- DFN3333T8LSAB
- Höhe
- 1.1mm
- Kabelkanaltyp
- Typ P
- Länge
- 3.4mm
- Maximale Betriebstemperatur
- 150°C
- Maximale Verlustleistung (Pd)
- 75W
- Montageart
- Oberfläche
- Pinanzahl
- 8
- Produkt Typ
- Einfache MOSFETs
- Serie
- RH7G04BBJFRAT
Produktbeschreibung
Produkt Typ = Einfache MOSFETs
Drain-Source-Spannung Vds max. = -40V
Gehäusegröße = DFN3333T8LSAB
Montageart = Oberfläche
Pinanzahl = 8
Drain-Source-Widerstand Rds max. = 11.9mΩ
Channel-Modus = Erweiterung
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs = 50nC
Maximale Betriebstemperatur = 150°C
Länge = 3.4mm
Automobilstandard = AEC-Q101
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET