ROHM RH6R025BH Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 150 V / 25 A 59 W, 8-Pin HSMT

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Channel-Modus

Erweiterung

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

150V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

60mΩ

Durchlassspannung (Vf)

1.2V

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

16.7nC

Gehäusegröße

HSMT

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

25A

Maximale Betriebstemperatur

150°C