ROHM RH6G04 Typ N-Kanal, Oberfläche Einfache MOSFETs Erweiterung 40 V / 135 A 93 W, 8-Pin HSMT-8
Technische Daten
- Betriebstemperatur min.
- -55°C
- Channel-Modus
- Erweiterung
- Drain-Source-Spannung (Vds) max.
- 40V
- Drain-Source-Widerstand (Rds) max.
- 2.5mΩ
- Durchlassspannung (Vf)
- 1.2V
- Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs
- 32nC
- Gehäusegröße
- HSMT-8
- Kabelkanaltyp
- Typ N
- kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)
- 135A
- Maximale Betriebstemperatur
- 175°C
- Maximale Verlustleistung (Pd)
- 93W
- Montageart
- Oberfläche
- Pinanzahl
- 8
- Produkt Typ
- Einfache MOSFETs
- Serie
- RH6G04
Produktbeschreibung
Produkt Typ = Einfache MOSFETs
kontinuierlicher Drainstrom max. Id = 135A
Drain-Source-Spannung Vds max. = 40V
Gehäusegröße = HSMT-8
Montageart = Oberfläche
Pinanzahl = 8
Drain-Source-Widerstand Rds max. = 2.5mΩ
Channel-Modus = Erweiterung
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs = 32nC
Maximale Betriebstemperatur = 175°C
Normen/Zulassungen = Halogen Free, Pb Free, RoHS
Automobilstandard = Nein
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET