ROHM RH6 Typ N-Kanal 1 MOSFET 60 V Erweiterung / 65 A 59 W, 8-Pin HSMT-8

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Channel-Modus

Erweiterung

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

60V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

7.1mΩ

Durchlassspannung (Vf)

1.2V

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

18.8nC

Gate-Source-spannung max (Vgs)

20 V

Gehäusegröße

HSMT-8

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

65A