ROHM RH Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Entleerung 80 V / 65 A 59 W, 8-Pin HSMT-8

Name: ROHM RH Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Entleerung 80 V / 65 A 59 W, 8-Pin HSMT-8
Brand: ROHM
Price: 0.81 EUR
Availability: InStock

Marke: ROHM

Hersteller Artikel-Nr.: RH6N040BHTB1

Produkt-Nr.: P-DRFTCV

Technische Daten

Betriebstemperatur min.: -55°C
Channel-Modus: Entleerung
Drain-Source-Spannung (Vds) max.: 80V
Drain-Source-Widerstand (Rds) max.: 8.3mΩ
Durchlassspannung (Vf): 1.2V
Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs: 23nC
Gehäusegröße: HSMT-8
Kabelkanaltyp: Typ P
kontinuierlicher Drainstrom max. (Id): 65A
Maximale Betriebstemperatur: 150°C
Maximale Verlustleistung (Pd): 59W
Montageart: Oberfläche
Pinanzahl: 8
Produkt Typ: MOSFET
Serie: RH

Produktbeschreibung

Produkt Typ = MOSFET
kontinuierlicher Drainstrom max. Id = 65A
Drain-Source-Spannung Vds max. = 80V
Gehäusegröße = HSMT-8
Montageart = Oberfläche
Pinanzahl = 8
Drain-Source-Widerstand Rds max. = 8.3mΩ
Channel-Modus = Entleerung
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs = 23nC
Maximale Betriebstemperatur = 150°C
Normen/Zulassungen = RoHS
Automobilstandard = Nein

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