ROHM RF6 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V 1 W, 6-Pin TUMT6

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Channel-Modus

Erweiterung

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

60V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

140mΩ

Durchlassspannung (Vf)

1.2V

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

3.1nC

Gehäusegröße

TUMT6

Kabelkanaltyp

Typ N

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Maximale Verlustleistung (Pd)

1W