ROHM RF4P060BG Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 6 A 2 W, 8-Pin HUML2020L8

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Channel-Modus

Erweiterung

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

100V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

53mΩ

Durchlassspannung (Vf)

1.2V

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

6.7nC

Gehäusegröße

HUML2020L8

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

6A

Maximale Betriebstemperatur

150°C