ROHM RF4L Typ N-Kanal MOSFET N 60 V / 10.3 A 81 W, 8-Pin HUML2020L8

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Channel-Modus

N

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

60V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

2.7mΩ

Durchlassspannung (Vf)

1.2V

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

7.6nC

Gate-Source-spannung max (Vgs)

20V

Gehäusegröße

HUML2020L8

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

10.3A