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ROHM RE1E002SP Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / -0.25 A 150 mW, 3-Pin SOT-416

Marke: ROHM

Hersteller Artikel-Nr.: RE1E002SPTCL

Produkt-Nr.: P-DRHS4N

Technische Daten

Betriebstemperatur min.
-55°C
Channel-Modus
Erweiterung
Drain-Source-Spannung (Vds) max.
30V
Drain-Source-Widerstand (Rds) max.
1.4Ω
Durchlassspannung (Vf)
-1.2V
Gehäusegröße
SOT-416
Kabelkanaltyp
Typ P
kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)
-0.25A
Maximale Betriebstemperatur
150°C
Maximale Verlustleistung (Pd)
150mW

Produktbeschreibung

MOSFET

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