ROHM RE1C002ZP Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 200 mA 150 mW, 3-Pin SC-75

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Channel-Modus

Erweiterung

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

20V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

9.6Ω

Durchlassspannung (Vf)

1.2V

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

1.4nC

Gehäusegröße

SC-75

Kabelkanaltyp

Typ P

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

200mA

Maximale Betriebstemperatur

150°C