ROHM RE1C002ZP Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 250 mA 150 mW, 3-Pin SOT-416
Technische Daten
- Betriebstemperatur min.
- -55°C
- Channel-Modus
- Erweiterung
- Drain-Source-Spannung (Vds) max.
- 60V
- Drain-Source-Widerstand (Rds) max.
- 12Ω
- Durchlassspannung (Vf)
- 1.2V
- Gehäusegröße
- SOT-416
- Höhe
- 0.8mm
- Kabelkanaltyp
- Typ N
- kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)
- 250mA
- Maximale Betriebstemperatur
- 150°C
- Maximale Verlustleistung (Pd)
- 150mW
- Montageart
- Oberfläche
- Pinanzahl
- 3
- Produkt Typ
- MOSFET
- Serie
- RE1C002ZP
Produktbeschreibung
MOSFET
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
- GTIN
- 5059043653891
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