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ROHM RE1C001ZP Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 100 mA 150 mW, 3-Pin SOT-416

Marke: ROHM

Hersteller Artikel-Nr.: RE1C001ZPTL

Produkt-Nr.: P-DRL8BR

Technische Daten

Betriebstemperatur min.
-55°C
Channel-Modus
Erweiterung
Drain-Source-Spannung (Vds) max.
20V
Drain-Source-Widerstand (Rds) max.
40Ω
Durchlassspannung (Vf)
-1.2V
Gehäusegröße
SOT-416
Höhe
0.7mm
Kabelkanaltyp
Typ P
kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)
100mA
Maximale Betriebstemperatur
150°C

Produktbeschreibung

Produkt Typ = MOSFET
kontinuierlicher Drainstrom max. Id = 100mA
Drain-Source-Spannung Vds max. = 20V
Gehäusegröße = SOT-416
Montageart = Oberfläche
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand Rds max. = 40Ω
Channel-Modus = Erweiterung
Maximale Verlustleistung Pd = 150mW
Maximale Betriebstemperatur = 150°C
Länge = 1.7mm
Automobilstandard = Nein

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Kennzeichnungen

Artikeltyp
MOSFET
GTIN
5059043036502