ROHM RE1C001UN Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V 150 mW, 3-Pin SC-75
Technische Daten
- Betriebstemperatur min.
- -55°C
- Channel-Modus
- Erweiterung
- Drain-Source-Spannung (Vds) max.
- 20V
- Drain-Source-Widerstand (Rds) max.
- 3.5Ω
- Durchlassspannung (Vf)
- 1.2V
- Gehäusegröße
- SC-75
- Höhe
- 0.8mm
- Kabelkanaltyp
- Typ N
- Länge
- 1.7mm
- Maximale Betriebstemperatur
- 150°C
- Maximale Verlustleistung (Pd)
- 150mW
- Montageart
- Oberfläche
- Pinanzahl
- 3
- Produkt Typ
- MOSFET
- Serie
- RE1C001UN
Produktbeschreibung
Produkt Typ = MOSFET
Drain-Source-Spannung Vds max. = 20V
Gehäusegröße = SC-75
Montageart = Oberfläche
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand Rds max. = 3.5Ω
Channel-Modus = Erweiterung
Maximale Verlustleistung Pd = 150mW
Maximale Betriebstemperatur = 150°C
Länge = 1.7mm
Automobilstandard = Nein
Produktangebot
Sichere Zahlung
Rechnung
Schneller Versand
etc.
Fragen zum Produkt?
Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
- GTIN
- 5059043121581