ROHM RD3R02BBH Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 6 V / 50 A 50 W, 3-Pin TO-252

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Channel-Modus

Erweiterung

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

6V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

81mΩ

Durchlassspannung (Vf)

1.2V

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

12.4nC

Gehäusegröße

TO-252

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

50A

Maximale Betriebstemperatur

150°C