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ROHM RD3P200SN Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 20 A 20 W, 3-Pin TO-252

Marke: ROHM

Hersteller Artikel-Nr.: RD3P200SNTL

Produkt-Nr.: P-DRLD8H

Technische Daten

Betriebstemperatur min.
-55°C
Channel-Modus
Erweiterung
Drain-Source-Spannung (Vds) max.
100V
Drain-Source-Widerstand (Rds) max.
50mΩ
Durchlassspannung (Vf)
1.5V
Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs
55nC
Gehäusegröße
TO-252
Kabelkanaltyp
Typ N
kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)
20A
Maximale Betriebstemperatur
150°C

Produktbeschreibung

Der RD3P200SN ist ein Leistungs-MOSFET mit geringem Widerstand im eingeschalteten Zustand, für Schaltanwendungen geeignet.Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand Schnelle Schaltgeschwindigkeit Einfache Antriebskreise möglich Parallele Nutzung ist einfach Pb-frei Beschichtung

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Kennzeichnungen

Artikeltyp
MOSFET
GTIN
5059043539256