ROHM RD3P200SN Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 20 A 20 W, 3-Pin TO-252

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Channel-Modus

Erweiterung

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

100V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

46mΩ

Durchlassspannung (Vf)

1.5V

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

55nC

Gehäusegröße

TO-252

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

20A

Maximale Betriebstemperatur

150°C