ROHM RD3P06BBKH Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Entleerung 100 V / 59 A 76 W, 8-Pin TO-252

Name: ROHM RD3P06BBKH Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Entleerung 100 V / 59 A 76 W, 8-Pin TO-252
Brand: ROHM
Price: 0.9 EUR
Availability: InStock

Marke: ROHM

Hersteller Artikel-Nr.: RD3P06BBKHRBTL

Produkt-Nr.: P-DRKT4J

Technische Daten

Betriebstemperatur min.: -55°C
Channel-Modus: Entleerung
Drain-Source-Spannung (Vds) max.: 100V
Drain-Source-Widerstand (Rds) max.: 15.8mΩ
Durchlassspannung (Vf): 1.5V
Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs: 17.3nC
Gehäusegröße: TO-252
Kabelkanaltyp: Typ N
kontinuierlicher Drainstrom max. (Id): 59A
Maximale Betriebstemperatur: 175°C
Maximale Verlustleistung (Pd): 76W
Montageart: Oberfläche
Pinanzahl: 8
Produkt Typ: MOSFET
Serie: RD3P06BBKH

Produktbeschreibung

Produkt Typ = MOSFET
kontinuierlicher Drainstrom max. Id = 59A
Drain-Source-Spannung Vds max. = 100V
Gehäusegröße = TO-252
Montageart = Oberfläche
Pinanzahl = 8
Drain-Source-Widerstand Rds max. = 15.8mΩ
Channel-Modus = Entleerung
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs = 17.3nC
Maximale Betriebstemperatur = 175°C
Normen/Zulassungen = RoHS, AEC-Q101
Automobilstandard = AEC-Q101

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