ROHM RD3L03BBG Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 60 V / 50 A 50 W TO-252
Technische Daten
- Betriebstemperatur min.
- -55°C
- Channel-Modus
- N
- Drain-Source-Spannung (Vds) max.
- 60V
- Drain-Source-Widerstand (Rds) max.
- 11.3mΩ
- Durchlassspannung (Vf)
- 1.2V
- Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs
- 14nC
- Gehäusegröße
- TO-252
- Kabelkanaltyp
- Typ N
- kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)
- 50A
- Maximale Betriebstemperatur
- 150°C
- Maximale Verlustleistung (Pd)
- 50W
- Montageart
- Oberfläche
- Normen/Zulassungen
- Pb-Free Plating, RoHS
- Produkt Typ
- MOSFET
- Serie
- RD3L03BBG
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MOSFET
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET