ROHM RD3L03BAT Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET P 60 V / 35 A 56 W, 3-Pin TO-252
Technische Daten
- Betriebstemperatur min.
- -55°C
- Channel-Modus
- P
- Drain-Source-Spannung (Vds) max.
- 60V
- Drain-Source-Widerstand (Rds) max.
- 410mΩ
- Durchlassspannung (Vf)
- -1.2V
- Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs
- 37nC
- Gehäusegröße
- TO-252
- Kabelkanaltyp
- Typ P
- kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)
- 35A
- Maximale Betriebstemperatur
- 150°C
- Maximale Verlustleistung (Pd)
- 56W
- Montageart
- Oberfläche
- Pinanzahl
- 3
- Produkt Typ
- MOSFET
- Serie
- RD3L03BAT
Produktbeschreibung
Der Rohm Leistungs-MOSFET hat den TO-252-Gehäusetyp. Er wird hauptsächlich zum Schalten verwendet.Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand Schnelle Schaltgeschwindigkeit Einfache Antriebskreise möglich Parallele Nutzung ist einfach Bleifreie Beschichtung, RoHS-konform
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET