ROHM RD3H160SP Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 45 V / 16 A 20 W, 3-Pin TO-252

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Channel-Modus

Erweiterung

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

45V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

70mΩ

Durchlassspannung (Vf)

-1.2V

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

16nC

Gehäusegröße

TO-252

Kabelkanaltyp

Typ P

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

16A

Maximale Betriebstemperatur

150°C