ROHM RD3G08DBKHRB Typ N-Kanal, Oberfläche Einfache MOSFETs Erweiterung 40 V 76 W, 3-Pin TO-252 (TL)
Technische Daten
- Betriebstemperatur min.
- -55°C
- Channel-Modus
- Erweiterung
- Drain-Source-Spannung (Vds) max.
- 40V
- Drain-Source-Widerstand (Rds) max.
- 4.1mΩ
- Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs
- 28nC
- Gehäusegröße
- TO-252 (TL)
- Höhe
- 2.3mm
- Kabelkanaltyp
- Typ N
- Länge
- 10.5mm
- Maximale Betriebstemperatur
- 175°C
- Maximale Verlustleistung (Pd)
- 76W
- Montageart
- Oberfläche
- Pinanzahl
- 3
- Produkt Typ
- Einfache MOSFETs
- Serie
- RD3G08DBKHRB
Produktbeschreibung
Produkt Typ = Einfache MOSFETs
Drain-Source-Spannung Vds max. = 40V
Gehäusegröße = TO-252 (TL)
Montageart = Oberfläche
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand Rds max. = 4.1mΩ
Channel-Modus = Erweiterung
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs = 28nC
Maximale Betriebstemperatur = 175°C
Länge = 10.50mm
Automobilstandard = AEC-Q101
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET