ROHM RD3G08CBLHRB Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Entleerung 40 V / 80 A 96 W, 3-Pin TO-252

Name: ROHM RD3G08CBLHRB Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Entleerung 40 V / 80 A 96 W, 3-Pin TO-252
Brand: ROHM
Price: 1.09 EUR
Availability: InStock

Marke: ROHM

Hersteller Artikel-Nr.: RD3G08CBLHRBTL

Produkt-Nr.: P-DRHJ3H

Technische Daten

Betriebstemperatur min.: -55°C
Channel-Modus: Entleerung
Drain-Source-Spannung (Vds) max.: 40V
Drain-Source-Widerstand (Rds) max.: 3.2mΩ
Durchlassspannung (Vf): 1.5V
Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs: 42nC
Gehäusegröße: TO-252
Kabelkanaltyp: Typ N
kontinuierlicher Drainstrom max. (Id): 80A
Maximale Betriebstemperatur: 175°C
Maximale Verlustleistung (Pd): 96W
Montageart: Oberfläche
Pinanzahl: 3
Produkt Typ: MOSFET
Serie: RD3G08CBLHRB

Produktbeschreibung

Produkt Typ = MOSFET
kontinuierlicher Drainstrom max. Id = 80A
Drain-Source-Spannung Vds max. = 40V
Gehäusegröße = TO-252
Montageart = Oberfläche
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand Rds max. = 3.2mΩ
Channel-Modus = Entleerung
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs = 42nC
Maximale Betriebstemperatur = 175°C
Länge = 10mm
Automobilstandard = AEC-Q101

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