ROHM RD3G07BAT Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET P 40 V / 70 A 101 W, 3-Pin TO-252
Technische Daten
- Betriebstemperatur min.
- -55°C
- Channel-Modus
- P
- Drain-Source-Spannung (Vds) max.
- 40V
- Drain-Source-Widerstand (Rds) max.
- 71mΩ
- Durchlassspannung (Vf)
- -1.2V
- Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs
- 105nC
- Gate-Source-spannung max (Vgs)
- 20V
- Gehäusegröße
- TO-252
- Kabelkanaltyp
- Typ P
- kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)
- 70A
- Maximale Verlustleistung (Pd)
- 101W
- Montageart
- Oberfläche
- Pinanzahl
- 3
- Produkt Typ
- MOSFET
- Serie
- RD3G07BAT
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MOSFET
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET