ROHM RD3G03BBG Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 40 V / 65 A 50 W TO-252

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Channel-Modus

N

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

40V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

6.5mΩ

Durchlassspannung (Vf)

1.2V

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

18.2nC

Gehäusegröße

TO-252

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

65A

Maximale Betriebstemperatur

150°C