ROHM RD3G03BAT Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET P 40 V / 35 A 56 W, 3-Pin TO-252

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Channel-Modus

P

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

40V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

191mΩ

Durchlassspannung (Vf)

-1.2V

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

38nC

Gehäusegröße

TO-252

Kabelkanaltyp

Typ P

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

35A

Maximale Betriebstemperatur

150°C