ROHM RD3G01BAT Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET P 40 V / 15 A 25 W, 3-Pin TO-252

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Channel-Modus

P

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

40V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

390mΩ

Durchlassspannung (Vf)

-1.2V

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

19.3nC

Gate-Source-spannung max (Vgs)

20V

Gehäusegröße

TO-252

Kabelkanaltyp

Typ P

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

15A