ROHM RD3 Typ P-Kanal, Oberfläche Einfache MOSFETs Erweiterung 60 V 53 W, 3-Pin TO-252
Technische Daten
- Betriebstemperatur min.
- -55°C
- Channel-Modus
- Erweiterung
- Drain-Source-Spannung (Vds) max.
- 60V
- Drain-Source-Widerstand (Rds) max.
- 55mΩ
- Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs
- 27nC
- Gehäusegröße
- TO-252
- Höhe
- 2.3mm
- Kabelkanaltyp
- Typ P
- Länge
- 10.5mm
- Maximale Betriebstemperatur
- 175°C
- Maximale Verlustleistung (Pd)
- 53W
- Montageart
- Oberfläche
- Pinanzahl
- 3
- Produkt Typ
- Einfache MOSFETs
- Serie
- RD3
Produktbeschreibung
Produkt Typ = Einfache MOSFETs
Drain-Source-Spannung Vds max. = 60V
Gehäusegröße = TO-252
Montageart = Oberfläche
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand Rds max. = 55mΩ
Channel-Modus = Erweiterung
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs = 27nC
Maximale Betriebstemperatur = 175°C
Länge = 10.50mm
Automobilstandard = AEC-Q101
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET