ROHM RA1C030LD Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 3 A 1 W, 3-Pin SMM1006

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Channel-Modus

Erweiterung

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

20V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

140mΩ

Durchlassspannung (Vf)

1.2V

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

1.5nC

Gehäusegröße

SMM1006

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

3A

Maximale Betriebstemperatur

150°C