ROHM R8019KNZ4 Typ N-Kanal, Oberfläche Einfache MOSFETs Erweiterung 800 V 208 W, 3-Pin TO-247
Technische Daten
- Betriebstemperatur min.
- -55°C
- Channel-Modus
- Erweiterung
- Drain-Source-Spannung (Vds) max.
- 800V
- Drain-Source-Widerstand (Rds) max.
- 0.265Ω
- Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs
- 65nC
- Gehäusegröße
- TO-247
- Höhe
- 5.22mm
- Kabelkanaltyp
- Typ N
- Länge
- 40mm
- Maximale Betriebstemperatur
- 150°C
- Maximale Verlustleistung (Pd)
- 208W
- Montageart
- Oberfläche
- Pinanzahl
- 3
- Produkt Typ
- Einfache MOSFETs
- Serie
- R8019KNZ4
Produktbeschreibung
Produkt Typ = Einfache MOSFETs
Drain-Source-Spannung Vds max. = 800V
Gehäusegröße = TO-247
Montageart = Oberfläche
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand Rds max. = 0.265Ω
Channel-Modus = Erweiterung
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs = 65nC
Maximale Betriebstemperatur = 150°C
Länge = 40mm
Automobilstandard = Nein
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET