ROHM R8009KNX Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 800 V / 9 A 59 W, 3-Pin TO-220

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Channel-Modus

N

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

800V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

600mΩ

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

27nC

Gehäusegröße

TO-220

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

9A

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Maximale Verlustleistung (Pd)

59W