ROHM R6535KNX3 Typ N-Kanal MOSFET Erweiterung 650 V / 35 A 104 W, 3-Pin TO-220

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Channel-Modus

Erweiterung

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

650V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

2.7mΩ

Durchlassspannung (Vf)

1.2V

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

72nC

Gate-Source-spannung max (Vgs)

30 V

Gehäusegröße

TO-220

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

35A