ROHM R6535KNX3 Typ N-Kanal MOSFET Erweiterung 650 V / 35 A 104 W, 3-Pin TO-220
Technische Daten
- Betriebstemperatur min.
- -55°C
- Channel-Modus
- Erweiterung
- Drain-Source-Spannung (Vds) max.
- 650V
- Drain-Source-Widerstand (Rds) max.
- 2.7mΩ
- Durchlassspannung (Vf)
- 1.2V
- Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs
- 72nC
- Gehäusegröße
- TO-220
- Kabelkanaltyp
- Typ N
- kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)
- 35A
- Maximale Betriebstemperatur
- 175°C
- Maximale Verlustleistung (Pd)
- 104W
- Normen/Zulassungen
- RoHS
- Pinanzahl
- 3
- Produkt Typ
- MOSFET
- Serie
- R6535KNX3
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MOSFET
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET