ROHM R65 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V 26 W, 3-Pin TO-252

Name: ROHM R65 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V 26 W, 3-Pin TO-252
Brand: ROHM
Price: 0.53 EUR
Availability: InStock

Marke: ROHM

Hersteller Artikel-Nr.: R6502END3TL1

Produkt-Nr.: P-DRHJ4T

Technische Daten

Automobilstandard: Nein
Betriebstemperatur min.: -55°C
Channel-Modus: Erweiterung
Drain-Source-Spannung (Vds) max.: 650V
Drain-Source-Widerstand (Rds) max.: 4Ω
Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs: 6.5nC
Gehäusegröße: TO-252
Kabelkanaltyp: Typ N
Maximale Betriebstemperatur: 150°C
Maximale Verlustleistung (Pd): 26W
Montageart: Oberfläche
Normen/Zulassungen: No
Pinanzahl: 3
Produkt Typ: MOSFET
Serie: R65

Produktbeschreibung

Produkt Typ = MOSFET
Drain-Source-Spannung Vds max. = 650V
Gehäusegröße = TO-252
Montageart = Oberfläche
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand Rds max. = 4.0Ω
Channel-Modus = Erweiterung
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs = 6.5nC
Maximale Betriebstemperatur = 150°C
Normen/Zulassungen = No
Automobilstandard = Nein

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