ROHM R6050JNZ Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 600 V / 50 A 120 W, 3-Pin TO-3PF

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Channel-Modus

N

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

600V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

83mΩ

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

120nC

Gehäusegröße

TO-3PF

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

50A

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Maximale Verlustleistung (Pd)

120W