ROHM R6030KNZ Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 600 V / 30 A 86 W, 3-Pin TO-3PF

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Channel-Modus

N

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

600V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

130mΩ

Durchlassspannung (Vf)

1.5V

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

56nC

Gate-Source-spannung max (Vgs)

30 V

Gehäusegröße

TO-3PF

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

30A