ROHM R6024ENJ Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 24 A 245 W, 3-Pin TO-263

Name: ROHM R6024ENJ Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 24 A 245 W, 3-Pin TO-263
Brand: ROHM

Marke: ROHM

Hersteller Artikel-Nr.: R6024ENJTL

Produkt-Nr.: P-DRLD8D

Technische Daten

Betriebstemperatur min.: -55°C
Channel-Modus: Erweiterung
Drain-Source-Spannung (Vds) max.: 600V
Drain-Source-Widerstand (Rds) max.: 320mΩ
Durchlassspannung (Vf): 1.5V
Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs: 70nC
Gehäusegröße: TO-263
Kabelkanaltyp: Typ N
kontinuierlicher Drainstrom max. (Id): 24A
Maximale Betriebstemperatur: 150°C
Maximale Verlustleistung (Pd): 245W
Montageart: Oberfläche
Pinanzahl: 3
Produkt Typ: MOSFET
Serie: R6024ENJ

Produktbeschreibung

Produkt Typ = MOSFET
kontinuierlicher Drainstrom max. Id = 24A
Drain-Source-Spannung Vds max. = 600V
Gehäusegröße = TO-263
Montageart = Oberfläche
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand Rds max. = 320mΩ
Channel-Modus = Erweiterung
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs = 70nC
Maximale Betriebstemperatur = 150°C
Länge = 10.4mm
Automobilstandard = Nein