ROHM R6013VND3 NaN Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 13 A 131 W, 3-Pin TO-252

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Channel-Modus

Erweiterung

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

600V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

0.3Ω

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

21nC

Gehäusegröße

TO-252

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

13A

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Maximale Verlustleistung (Pd)

131W