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ROHM R60 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 9 A 125 W, 3-Pin TO-252

Marke: ROHM

Hersteller Artikel-Nr.: R6009RND3TL1

Produkt-Nr.: P-DRLCRZ

Technische Daten

Betriebstemperatur min.
-55°C
Channel-Modus
Erweiterung
Drain-Source-Spannung (Vds) max.
600V
Drain-Source-Widerstand (Rds) max.
0.665Ω
Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs
22nC
Gehäusegröße
TO-252
Kabelkanaltyp
Typ N
kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)
9A
Maximale Betriebstemperatur
150°C
Maximale Verlustleistung (Pd)
125W

Produktbeschreibung

Produkt Typ = MOSFET
kontinuierlicher Drainstrom max. Id = 9A
Drain-Source-Spannung Vds max. = 600V
Gehäusegröße = TO-252
Montageart = Oberfläche
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand Rds max. = 0.665Ω
Channel-Modus = Erweiterung
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs = 22.0nC
Maximale Betriebstemperatur = 150°C
Normen/Zulassungen = No
Automobilstandard = Nein

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Kennzeichnungen

Artikeltyp
MOSFET