ROHM R60 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 33 A 114 W, 3-Pin TO-3PF

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Channel-Modus

Erweiterung

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

600V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

44mΩ

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

110nC

Gate-Source-spannung max (Vgs)

±30 V

Gehäusegröße

TO-3PF

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

33A

Maximale Betriebstemperatur

150°C