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ROHM R60 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 10 A 92 W, 3-Pin TO-252

Marke: ROHM

Hersteller Artikel-Nr.: R6010YND3TL1

Produkt-Nr.: P-DRHJ4X

Technische Daten

Betriebstemperatur min.
-55°C
Channel-Modus
Erweiterung
Drain-Source-Spannung (Vds) max.
600V
Drain-Source-Widerstand (Rds) max.
390mΩ
Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs
15nC
Gehäusegröße
TO-252
Kabelkanaltyp
Typ N
kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)
10A
Maximale Betriebstemperatur
150°C
Maximale Verlustleistung (Pd)
92W

Produktbeschreibung

Produkt Typ = MOSFET
kontinuierlicher Drainstrom max. Id = 10A
Drain-Source-Spannung Vds max. = 600V
Gehäusegröße = TO-252
Montageart = Oberfläche
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand Rds max. = 390mΩ
Channel-Modus = Erweiterung
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs = 15nC
Maximale Betriebstemperatur = 150°C
Normen/Zulassungen = No
Automobilstandard = Nein

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Kennzeichnungen

Artikeltyp
MOSFET