ROHM R4P Typ N-Kanal, Oberfläche Einfache MOSFETs Erweiterung 60 V 0.5 W, 3-Pin MPT3
Technische Daten
- Betriebstemperatur min.
- -55°C
- Channel-Modus
- Erweiterung
- Drain-Source-Spannung (Vds) max.
- 60V
- Drain-Source-Widerstand (Rds) max.
- 200mΩ
- Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs
- 7nC
- Gehäusegröße
- MPT3
- Höhe
- 1.6mm
- Kabelkanaltyp
- Typ N
- Länge
- 4.3mm
- Maximale Betriebstemperatur
- 150°C
- Maximale Verlustleistung (Pd)
- 0.5W
- Montageart
- Oberfläche
- Pinanzahl
- 3
- Produkt Typ
- Einfache MOSFETs
- Serie
- R4P
Produktbeschreibung
Produkt Typ = Einfache MOSFETs
Drain-Source-Spannung Vds max. = 60V
Gehäusegröße = MPT3
Montageart = Oberfläche
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand Rds max. = 200mΩ
Channel-Modus = Erweiterung
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs = 7nC
Maximale Betriebstemperatur = 150°C
Länge = 4.30mm
Automobilstandard = AEC-Q101
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET