ROHM QS8 Typ N, Typ P-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 100 V Erweiterung 1.5 W, 8-Pin TSMT-8
Technische Daten
- Anzahl der Elemente pro Chip
- 2
- Automobilstandard
- AEC-Q101
- Betriebstemperatur min.
- -55°C
- Channel-Modus
- Erweiterung
- Drain-Source-Spannung (Vds) max.
- 100V
- Gehäusegröße
- TSMT-8
- Kabelkanaltyp
- Typ N, Typ P
- Maximale Betriebstemperatur
- 150°C
- Maximale Verlustleistung (Pd)
- 1.5W
- Montageart
- Oberfläche
- Normen/Zulassungen
- No
- Pinanzahl
- 8
- Produkt Typ
- MOSFET
- Serie
- QS8
Produktbeschreibung
Kabelkanaltyp = Typ N, Typ P
Drain-Source-Spannung Vds max. = 100V
Serie = QS8
Montageart = Oberfläche
Pinanzahl = 8
Channel-Modus = Erweiterung
Maximale Verlustleistung Pd = 1.5W
Maximale Betriebstemperatur = 150°C
Normen/Zulassungen = No
Anzahl der Elemente pro Chip = 2
Automobilstandard = AEC-Q101
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET