ROHM QH8MB5 Typ P, Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 5 A 1.5 W, 8-Pin TSMT-8

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Channel-Modus

Erweiterung

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

40V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

44mΩ

Durchlassspannung (Vf)

1.2V

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

3.5nC

Gate-Source-spannung max (Vgs)

20V

Gehäusegröße

TSMT-8

Kabelkanaltyp

Typ P, Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

5A