ROHM QH8MA3 Typ N, Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 7 A 2.5 W, 8-Pin TSMT

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Channel-Modus

Erweiterung

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

30V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

29mΩ

Durchlassspannung (Vf)

1.2V

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

7.2nC

Gehäusegröße

TSMT

Kabelkanaltyp

Typ N, Typ P

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

7A

Maximale Betriebstemperatur

150°C