ROHM QH8KB6 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 8 A 1.5 W, 8-Pin TSMT-8

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Channel-Modus

Erweiterung

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

40V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

17.7mΩ

Durchlassspannung (Vf)

1.2V

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

10.6nC

Gate-Source-spannung max (Vgs)

20V

Gehäusegröße

TSMT-8

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

8A