ROHM QH8 Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 100 V Erweiterung 1.5 W, 8-Pin TSMT-8

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Channel-Modus

Erweiterung

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

100V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

202mΩ

Durchlassspannung (Vf)

1.2V

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

2.8nC

Gehäusegröße

TSMT-8

Kabelkanaltyp

Typ N

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Maximale Verlustleistung (Pd)

1.5W