ROHM Pch+Pch UT6 Typ P-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 100 V Erweiterung / 1 A 2 W, 8-Pin HUML2020L8
Technische Daten
- Betriebstemperatur min.
- -55°C
- Channel-Modus
- Erweiterung
- Drain-Source-Spannung (Vds) max.
- 100V
- Drain-Source-Widerstand (Rds) max.
- 840mΩ
- Durchlassspannung (Vf)
- 1.2V
- Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs
- 6.7nC
- Gehäusegröße
- HUML2020L8
- Kabelkanaltyp
- Typ P
- kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)
- 1A
- Maximale Betriebstemperatur
- 150°C
- Maximale Verlustleistung (Pd)
- 2W
- Montageart
- Oberfläche
- Pinanzahl
- 8
- Produkt Typ
- MOSFET
- Serie
- UT6
Produktbeschreibung
Produkt Typ = MOSFET
kontinuierlicher Drainstrom max. Id = 1A
Drain-Source-Spannung Vds max. = 100V
Gehäusegröße = HUML2020L8
Montageart = Oberfläche
Pinanzahl = 8
Drain-Source-Widerstand Rds max. = 840mΩ
Channel-Modus = Erweiterung
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs = 6.7nC
Maximale Betriebstemperatur = 150°C
Normen/Zulassungen = No
Anzahl der Elemente pro Chip = 2
Automobilstandard = Nein
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET