ROHM P-Kanal, Oberfläche MOSFET -80 V / 7 A 14 W, 8-Pin HSMT

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

-80V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

280mΩ

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

13nC

Gate-Source-spannung max (Vgs)

20V

Gehäusegröße

HSMT

Höhe

0.8mm

Kabelkanaltyp

P-Kanal

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

7A

Länge

3.45mm