ROHM P-Kanal, Oberfläche MOSFET -60 V / 36 A 62 W, 8-Pin DFN3333T8LSAB

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

-60V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

47Ω

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

35nC

Gate-Source-spannung max (Vgs)

-10V

Gehäusegröße

DFN3333T8LSAB

Höhe

1.1mm

Kabelkanaltyp

P-Kanal

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

36A

Länge

3.4mm